МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники

Name: МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Brand: Техносфера
SKU: 3374858
Price: 42.40 BYN
Availability: InStock

(0 отзывов)

48.73 BYN

42.40 BYN

В корзину

Дата доставки.

Доставка в Минск: 30 Апреля (Вт) - 01 Мая (Ср)

Доставка в регионы: 06 Мая (Пн) - 08 Мая (Ср)

В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэ- лектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.

Артикул

3374858

Издательство

Техносфера

Серия

Мир материалов и технологий

Тип обложки

мягкая обложка

Автор

Акчурин Р.Х. , Мармалюк А.А.

Штрих код

9785948365213