Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
Артикул

152569

Издательство

Техносфера

Серия

Мир электроники

Год издания
Количество страниц

192

ISBN

5-94836-039-3

Тип обложки

твердый переплет

За данный товар по усмотрению интернет-магазина может быть установлена частичная предоплата.

Показать все характеристики

Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок.
Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям ВУЗов.

7.39 руб.

Обратите внимание на дату доставки!

Доставка в Минск: 26 Ноября (Пн) - 27 Ноября (Вт)
Доставка в регионы: 29 Ноября (Чт) - 1 Декабря (Сб)

Отзывы
Отзывов пока нет.
Книги данного автора
Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
Киреев В.Ю. (2006)
Артикул: 152569
Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
Киреев В.Ю. (2006) Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям ВУЗов.

7.39 руб.
Popup